NI SET Static 3종 (H3TRB, HTGB, HTRB) 장비 납품 및 교육

최근 SCV㈜는 한국에너지공과대학교(KENTECH)에 NI SET Static Reliability Test System 3종을 성공적으로 납품하였으며, 장비의 안정적인 운영을 위해 전력반도체 신뢰성 시험 장비 운용 기술 교육(Technical Training)도 함께 진행하였습니다.

​

이번에 납품된 시스템은 전력반도체(Power Semiconductor) 신뢰성 평가를 위한 핵심 시험 장비로, SiC MOSFET, IGBT, Power MOSFET 등의 장기 신뢰성 테스트에 활용됩니다.

HTRB (High Temperature Reverse Bias)

HTRB 시험은 고온 환경에서 반도체 소자에 Reverse Bias 전압을 인가하여 장기간 동작 시 발생할 수 있는 절연 열화 및 누설 전류(Leakage Current) 변화를 평가하는 전력반도체 신뢰성 시험입니다.

이는 특히 전기차, ESS, 고속 스위칭 전력 시스템에서의 실환경을 반영한 신뢰성 평가가 가능하도록 설계되었으며, AQG324, JESD22-A117 등의 표준을 만족하는 평가에 적합합니다.

주요 특징

  • 고온 환경에서 장시간 신뢰성 평가
  • MOSFET / IGBT / SiC 전력반도체 시험
  • Drain-Source 또는 Collector-Emitter 절연 특성 평가

HTRB 테스트는 자동차 반도체 신뢰성 규격인 AEC-Q101 및 JEDEC 신뢰성 평가에서 널리 사용되는 시험 항목입니다.

HTGB (High Temperature Gate Bias)

HTGB 시험은 고온 환경에서 Gate 전압을 지속적으로 인가하여 Gate Oxide의 장기 신뢰성을 평가하는 시험입니다.

주요 평가 항목

  • Gate Leakage 증가 여부
  • Threshold Voltage 변화
  • Gate Oxide 열화

특히 SiC MOSFET 신뢰성 평가에서 매우 중요한 시험으로 사용됩니다.

H3TRB (High Humidity High Temperature Reverse Bias)

H3TRB 시험은 고온·고습 환경에서 Reverse Bias 전압을 인가하여 패키지 절연 성능 및 습도 환경 신뢰성을 평가하는 시험입니다.

주요 시험 조건

  • 85°C / 85% RH
  • Reverse Bias Stress
  • 장시간 환경 신뢰성 평가

이 시험은 자동차 전력반도체, 전기차 인버터용 SiC 소자, 산업용 전력모듈의 환경 신뢰성 평가에 사용됩니다.

SCV㈜는 전력반도체 신뢰성 시험 장비(HTRB, HTGB, H3TRB) 공급뿐 아니라, 시스템 구축, 기술 교육, 유지보수 지원까지 포함한 토탈 테스트 솔루션을 제공하고 있습니다.

​

앞으로도 SCV㈜는 전력반도체 시험 장비 및 신뢰성 평가 시스템 분야에서 국내 연구기관과 산업 발전을 지원하는 기술 파트너로서 지속적으로 노력하겠습니다.

전기/전자

한국전자기술연구원(KETI)

NI SET Static 3종 (H3TRB, HTGB, HTRB) 장비 납품 및 교육

scv@scvkorea.com

|

+82 51-728-0310